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如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ UFS 4.1标准的制定... QLC 等大容量存储器的实施可能会加速。 移动设备的下一代 NAND 标准已经制定。与现有存储器相比，其性能使其更容易实现大容量存储器，预计未来其在人工智能智能手机等领域的利用率将会增加。据称，三星电子和SK海力士也正在密切关注相关技术。 ，国际半导体标准组织近日公布了“UFS 4.1”的标准。 SK海力士去年下半年首次发布UFS 4.1样品 UFS 代表通用闪存存储。它是一款专注于智能手机和平板电脑等移动设备的NAND产品，其特点是提高了功效和可靠性。第一个标准于 2011 年制定，目前仍在高价值产品中积极采用。 从1.0开始，UFS标准不断完善，并于2022年建立了4.0版本。此外，JEDEC去年底创建了下一代标准UFS 4.1以及相应的接口，并于本月披露了具体性能。 UFS 4.1 引入了更高效的内存管理和新功能来提高系统吞吐量，并包括 RPMB认证以防止未经授权的数据访问。 特别是，UFS 4.1 提高了精度，从而增强了存储电路性能。JEDEC 解释说，这为 QLC的实施铺平了道路。 根据一个单元存储多少位，NAND分为SLC(单级单元；1)、MLC(多级单元；2)和TLC(三级单元；3)、QLC等。由于QLC存储的位数更多，因此更容易实现大容量产品。但技术难度也较高。 当前，随着人工智能技术的发展，IT行业对数据存储和处理提出了更高的要求。因此，QLC NAND已经成为数据中心SSD行业的焦点。由于三星电子和苹果正在加强下一代智能手机的设备端AI性能，预计未来移动NAND市场将采用QLC。 三星电子、SK海力士等国内企业也都在关注UFS 4.1标准的建立。 三星电子执行董事 Hyun Jae-woong 表示:“UFS 是一种高性能、低功耗和小型封装的存储器，非常适合边缘人工智能以及移动和汽车行业。” UFS 4.1包括UFS性能和安全性、QLC支持等。“它在改进方面是有效的，”他说。 据了解，UFS 4.1采用了MIPIreg; Alliance的M-PHYreg; 5.0和UniProreg; 2.0规范，使接口带宽翻倍，读写速度最高可达约4.2 GB/s，为移动存储带来前所未有的高速体验。 新标准加强了异常类型处理，提高恢复速度，改进运行状况通知，使得系统能够更及时地处理错误，为四级单元 NAND的应用奠定基础。 UFS 4.1引入了主机启动碎片整理功能，通过优化读取流量，进一步提高内存维护效率。此外，还调整了WriteBooster缓冲区和Partial Flush，以最大化系统吞吐量。 半导体精品公众号推荐 专注半导体领域更多原创内容 关注全球半导体产业动向与趋势 今天是《半导体行业观察》为您分享的第4004期内容，欢迎关注。 『半导体第一垂直媒体』 实时 专业 原创 深度 公众号ID:icbank 喜欢我们的内容就点“在看”分享给小伙伴哦 |
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